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最新消息| Intel美光25nm工藝晶圓廠一日游-英特爾,Intel,美光,25nm,NAND—... | 2022-12-29 |
| 文章来源：由「百度新聞」平台非商業用途取用"http://news.mydrivers.com/1/155/155946_all.htm" Intel美光25nm工藝晶圓廠一日游2010-02-0410:05:48出處：快科技作者：Skyangeles編輯：Skyangeles評論(0)猜你想看：默認上周末，Intel、美光合資閃存制造企業IMFlashTechnologies,LLC(IMFT)宣布已經開始試制25bn工藝NAND閃存芯片。除了紙面宣布外，他們實際上還邀請了多家媒體到IMFT位于美國猶他州Lehi的25nm工藝晶圓廠進行參觀。位于雪山腳下的IMFT工廠工廠結構，制造半導體產品最關鍵的無塵室位于第三層，加壓吊頂形成由上向下的氣流，設備維護工作則在二層的SubFab層完成。進入無塵室之前的打包過程。（由于無塵室內部的嚴格要求，實際上以下內部照片均來自IMFT官方）晶圓廠內走廊，頂端的自動運輸系統（AMHS）正在以每小時13公里的速度將晶圓在各個制造環節間運輸，24小時不停歇。每個運載器都搭載了一個FOUP（前端開口片盒），其中可裝載最多25片300mm晶圓。廠內地面全部打孔，保證空氣從上向下流通，將落塵可能減到最小。FOUP片盒掛接在一個制造階段設備上，后面的那個正在被AMHS吊起。幾乎所有制造過程均為自動完成，因此廠內大部分工人的工作就是保證這些設備正常運行。化學機械拋光（CMP）車間照明受限的光刻車間一塊光刻掩膜，光刻過程簡單的說就是將這塊掩膜上圖案縮印到晶圓上。光刻過程中的校準實時缺陷監測（RDA）FOUP片盒中的300mm晶圓PCper記者手持一片25nm工藝300mm晶圓，總容量超過2TB。300mm晶圓每片閃存顆粒die容量為8GB（每格2GB），面積167平方毫米。Intel副總裁，NAND閃存業務總經理TomRampone手持25nm顆粒尺寸對比從左到右分別是：2003年130nm工藝128MB，2005年90nm工藝512MB，2007年50nm工藝1GB，2009年34nm工藝4GB以及現在的25nm工藝8GB閃存。最右側是標準的TSOP閃存封裝尺寸。使用25nm工藝閃存，只需要單die芯片即可造出Class10級SD卡。Intel計劃，今年將基于該閃存造出最大600GB的固態硬盤，而美光甚至計劃最大推出1TBSSD。微信公眾號搜索"驅動之家"加關注，每日最新的手機、電腦、汽車、智能硬件信息可以讓你一手全掌握。推薦關注！【微信掃描下圖可直接關注】 關鍵字標籤：庫板隔間材料 |
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